“HBM 之父”预测：HBF 高带宽闪存商业化加速，有望随 HBM6 广泛应用

1 月 17 日消息，在部分业内人士中有“HBM 之父”之称的韩国 KAIST 学者 Kim Jung-Ho 昨日在一场论坛研讨会上表示，尽管 HBM 高带宽内存从初代推出到走至半导体产业舞台中央花了近 10 年的时间，但 HBF 高带宽闪存的这一过程将更为迅速。

一方面，几大存储原厂在开发 HBM 时积攒了大量堆栈构建方面的设计和工艺技术；另一方面，AI 的爆炸式发展导致 HBM 在容量上已难以满足 AI 负载的数据需求。

继 SK 海力士后，三星电子也加入了闪迪首创的 HBF 技术阵营，三方正合作实现 HBF 的标准化。业内人士预测，HBF 的带宽将超过 1638GB/s（注：相当于 PCIe 6.0×4 的 50 倍），容量则将达到 512GB。

在商业化进程上，SK 海力士有望在本月晚些时候展示 HBF 的早期测试版本，三星电子与闪迪正向 2027 年底 ~2028 年初应用于英伟达、AMD、谷歌的 AI XPU 这一目标迈进。而 HBF 的广泛应用则将等到 HBM6 发布，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。

Kim Jung-Ho 认为，HBM 与 HBF 的关系犹如书房与图书馆，前者容量较小、应用更为方便，后者容量更大、延迟更高；针对 NAND 闪存与 DRAM 内存的底层区别，软件工程师需对操作 HBF 中数据的算法进行优化，尽量减少写入次数。