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三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程

换句话说，HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM，HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。...

2026-03-18 · 浏览39次

3TB 主内存 + 8TB CXL 内存：Penguin 推出 KV Cache 服务器

该服务器是业界首款采用 CXL 技术的量产型同类产品，可改善推理场景的延迟、TTFT、吞吐、利用率表现。...

2026-03-17 · 浏览53次

当前最大容量：美光启动 256GB SOCAMM2 内存模组出样

这意味着 8 通道 1DPC 的服务器处理器可将内存容量扩展到单 CPU 2TB，相较此前的系统可处理更大的上下文窗口和复杂的推理工作负载。...

2026-03-04 · 浏览98次

消息称英伟达考虑对 Rubin GPU 的 HBM4 需求分档，兼顾性能与供应

英伟达考虑在核心产品中应用 11.7Gbps 的高速 HBM4，而 10Gbps 的较低速度 HBM4 则被分配给次要产品。...

2026-02-22 · 浏览102次

三星电子公布垂直堆叠 zHBM，宣称定制 cHBM 能效可达标准品 2.8 倍

zHBM 中内存堆栈直接放置在 XPU 之上，可实现数以万计的 I/O 通道；cHBM 是在 HBM 堆栈的 Logic Die 内部放置计算单元。...

2026-02-12 · 浏览144次

JEDEC 接近完成 SPHBM4 规范：I/O 引脚数量仅有标准 HBM4 内存的 1/4

SPHBM4 在接口基础裸片部分采用了不同的设计，可安装在标准有机基板而不是硅基板上，在 SoC 和 HBM 内存堆栈间允许更长的线径。...

2025-12-12 · 浏览242次

SK 海力士公布未来存储路线图：HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

在 2026~2028 年的近期，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案。...

2025-11-04 · 浏览260次

美光出样 192GB SOCAMM2 内存模组：容量提升 50%，能效提升 20+%

美光新出样的 SOCAMM2 可达到 9600MT/s 的传输速率，在在 Vera Rubin NVL144 机架系统中提供超过 40TB 的 CPU 内存。...

2025-10-23 · 浏览2582次

JEDEC 服务器级 LPDDR5X 内存模块 SOCAMM2 标准即将完成，支持 9600MT/s

SOCAMM2 模组的 SPD 串行存在检测芯片将支持模块级识别和遥测，以满足企业部署对可靠性的要求。...

2025-10-21 · 浏览302次

三星半导体：CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见

三星电子正在研发第七代 Z-NAND 技术，面向 GIDS（GPU 主动直接存储）应用场景，可实现远超行业标准的吞吐量表现。...

2025-09-29 · 浏览299次

集邦预计：英伟达 2026 年 HBM4 供应由 SK 海力士主导，若调高速度要求有利于三星

近来有传闻称，英伟达要求 Rubin GPU 上游组件供应商提高产品规格以提升相对 AMD MI450 "Helios" 机架级 AI 系统的竞争力。...

2025-09-19 · 浏览235次